纳米压印
(Nanoimprint Lithography, NIL)
纳米压印是一种新型纳米图案复制技术,由普林斯顿大学的StephenY.Chou(周郁)教授于1995年提出。与传统光刻技术不同,纳米压印不依赖光学曝光和复杂的掩模投影系统,而是直接通过模具的几何形状转移图案,克服了衍射现象造成的分辨率极限问题。
与其他光刻技术相比,纳米压印具有高分辨率、低成本、能获得三维结构、适合大规模产业化生产等优势,广泛应用于半导体制造、光学器件生物传感器等领域,具有广阔的发展前景。
纳米压印技术的基本原理如下:将一块表面具有图案的硬质模板压入涂在基底上的聚合物材料中然后对聚合物材料进行紫外光固化或热固化,从而实现对纳米级特征的精确复制。</p
STPSENN
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STPSENN是一款针对微米级结构的纳米压印设备具有自动化程度高、高量产性的特点。设备采用光学与力学传感器双重调平方案,调平精度在8寸范围内≤0.5um,可实现较高的残余层均一性,适用于DOE、微透镜阵列、菲涅尔透镜等产品的研发和量产。
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特点:全自动化平台;
内置自动点胶功能,可变胶体分配模式,
标准设备内集成洁净环境;
闭环控制运动平台;
参数
Resolution: <20nm
Alignment accuracy: <15nm
Die size: <40mm x 40mm
Substrate Size: 8’’, 12’’
Substrate type: Si, SiC, Glass, etc.